硅在支撐智能手機、電腦、電動汽車等產(chǎn)品的半導(dǎo)體技術(shù)中一直占據(jù)著王者地位，但美國賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的一個研究團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)，“硅王”的統(tǒng)治地位可能正在受到挑戰(zhàn)。該團(tuán)隊在最新一期《自然》雜志上發(fā)表了一項突破性成果：他們首次利用二維材料制造出一臺能夠執(zhí)行簡單操作的計算機。這項研究標(biāo)志著向造出更薄、更快、更節(jié)能的電子產(chǎn)品邁出了重要一步。
此次開發(fā)的是一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）計算機。與以往不同的是，這次沒有使用硅，取而代之的是兩種二維材料：用于n型晶體管的二硫化鉬和用于p型晶體管的二硒化鎢。這兩種材料的厚度只有一個原子，在如此微小尺度下仍能保持優(yōu)異的電子性能，是硅所不具備的優(yōu)勢。
團(tuán)隊采用金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)，生長出大面積的二硫化鉬和二硒化鎢薄膜，并分別制造出超過1000個n型和p型晶體管。通過精確調(diào)整制造工藝和后續(xù)處理步驟，團(tuán)隊成功調(diào)控了n型和p型晶體管的閾值電壓，從而構(gòu)建出功能完整的CMOS邏輯電路。
該二維CMOS計算機稱為“單指令集計算機”，可以在低電源電壓下運行，功耗極低，并能在高達(dá)25千赫的頻率下執(zhí)行簡單的邏輯運算。雖然目前的工作頻率低于傳統(tǒng)硅基CMOS電路，但該計算機依然能夠完成基本的計算任務(wù)。團(tuán)隊還開發(fā)了一個計算模型，使用實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行校準(zhǔn)并結(jié)合設(shè)備之間的差異，以預(yù)測二維CMOS計算機的性能，并通過基準(zhǔn)測試將其與最先進(jìn)的硅技術(shù)進(jìn)行了對比。
團(tuán)隊表示，盡管還有進(jìn)一步優(yōu)化的空間，但這已經(jīng)是二維材料在電子領(lǐng)域應(yīng)用中的一個重要里程碑。這項研究成果不僅為下一代電子設(shè)備提供了全新的材料選擇，也為未來芯片設(shè)計開辟了新方向。
硅在支撐智能手機、電腦、電動汽車等產(chǎn)品的半導(dǎo)體技術(shù)中一直占據(jù)著王者地位，但美國賓夕法尼亞州立大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的一個研究團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)，“硅王”的統(tǒng)治地位可能正在受到挑戰(zhàn)。該團(tuán)隊在最新一期《自然》雜志上發(fā)表了一項突破性成果：他們首次利用二維材料制造出一臺能夠執(zhí)行簡單操作的計算機。這項研究標(biāo)志著向造出更薄、更快、更節(jié)能的電子產(chǎn)品邁出了重要一步。
此次開發(fā)的是一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）計算機。與以往不同的是，這次沒有使用硅，取而代之的是兩種二維材料：用于n型晶體管的二硫化鉬和用于p型晶體管的二硒化鎢。這兩種材料的厚度只有一個原子，在如此微小尺度下仍能保持優(yōu)異的電子性能，是硅所不具備的優(yōu)勢。
團(tuán)隊采用金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)，生長出大面積的二硫化鉬和二硒化鎢薄膜，并分別制造出超過1000個n型和p型晶體管。通過精確調(diào)整制造工藝和后續(xù)處理步驟，團(tuán)隊成功調(diào)控了n型和p型晶體管的閾值電壓，從而構(gòu)建出功能完整的CMOS邏輯電路。
該二維CMOS計算機稱為“單指令集計算機”，可以在低電源電壓下運行，功耗極低，并能在高達(dá)25千赫的頻率下執(zhí)行簡單的邏輯運算。雖然目前的工作頻率低于傳統(tǒng)硅基CMOS電路，但該計算機依然能夠完成基本的計算任務(wù)。團(tuán)隊還開發(fā)了一個計算模型，使用實驗數(shù)據(jù)進(jìn)行校準(zhǔn)并結(jié)合設(shè)備之間的差異，以預(yù)測二維CMOS計算機的性能，并通過基準(zhǔn)測試將其與最先進(jìn)的硅技術(shù)進(jìn)行了對比。
團(tuán)隊表示，盡管還有進(jìn)一步優(yōu)化的空間，但這已經(jīng)是二維材料在電子領(lǐng)域應(yīng)用中的一個重要里程碑。這項研究成果不僅為下一代電子設(shè)備提供了全新的材料選擇，也為未來芯片設(shè)計開辟了新方向。
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